維修前的準(zhǔn)備

1.維修時所需的工具有：萬用表、20兆以上雙蹤示波器、電烙鐵、螺絲刀、扳手等。

2.維修時所需要的資料有：設(shè)備有關(guān)電氣圖紙、說明書等技術(shù)資料。

3.維修前應(yīng)首先了解設(shè)備的故障現(xiàn)象，出現(xiàn)故障時所發(fā)生的情況，以及查看設(shè)備的記錄資料。

4.準(zhǔn)備一些易損和常用的元器件。

常見故障的維修

1.       設(shè)備無法啟動，啟動時只有直流電流表有指示，直流電壓、中頻電壓表均無指示。

故障分析及處理：這是一種最常見的故障現(xiàn)象，造成的原因可能是：

①、逆變觸發(fā)脈沖有缺脈沖現(xiàn)象——用示波器檢查逆變脈沖（最好在可控硅的AK上檢查），如發(fā)現(xiàn)有缺脈沖現(xiàn)象，檢查連線是否有接觸不良或開路，前級是否有脈沖輸出。

②、逆變可控硅擊穿——更換可控硅，并檢查可控硅損壞原因（有關(guān)可控硅損壞原因參見后面的可控硅損壞原因分析）。

 ③、電容器擊穿——拆除損壞的電容器極柱。

 ④、負(fù)載有短路、接地現(xiàn)象——排除短路點和接地點。

⑤、中頻信號取樣回路有開路或短路現(xiàn)象——用示波器觀察各信號取樣點的波形，或在不通電的情況下用萬用表測量各信號取樣回路的電阻值，查找開路點或短路點。

2. 啟動較困難，啟動后中頻電壓高出直流電壓的一倍，且直流電流過大。 故障分析及處理：造成這種故障的原因有：

①、逆變回路有一只可控硅損壞——當(dāng)逆變回路有一只可控硅損壞時，設(shè)備有時也可啟動，但啟動后會出現(xiàn)上述故障現(xiàn)象，更換損壞的可控硅，并檢查損壞原因。

②、中頻信號取樣回路有開路或極性錯誤現(xiàn)象——這種原因多在采用交角法的線路中，中頻電壓信號開路或在維修其它故障時將中頻電壓信號的極性接反，均會造成此故障現(xiàn)象。

③、逆變引前角移向電路出現(xiàn)故障——中頻電源的負(fù)載是呈容性的，即：電流超前于電壓。在取樣控制電路中，都設(shè)計有移相電路，如果移相電路出現(xiàn)故障也會造成此故障現(xiàn)象。

 3. 啟動困難，啟動后直流電壓最高只能升到400V，且電抗器震動大，聲音沉悶。 故障分析及處理：這種故障是三相全控整流橋故障，其主要原因是：

①、整流可控硅開路、擊穿、軟擊穿或電參數(shù)性能下降——用示波器觀察各整流可控硅的管壓降波形，查找損壞的可控硅后更換。當(dāng)損壞的可控硅擊穿時，其管壓降波形為一條直線；軟擊穿時電壓升到一定時為一條直線，電參數(shù)下降時電壓升到一定值時波形發(fā)生變化。如果出現(xiàn)上述現(xiàn)象，直流電流就會出現(xiàn)斷流現(xiàn)象，造成電抗器震動。

②、缺少一組整流觸發(fā)脈沖——用示波器分別檢查各路觸發(fā)脈沖（最好在可控硅上檢查），檢查出沒有脈沖的回路時，用倒推法確定故障位置，更換其損壞器件。當(dāng)出現(xiàn)這種現(xiàn)象時，直流電壓的輸出波頭就會缺少一個波頭，造成電流斷流，產(chǎn)生此故障現(xiàn)象。

4. 能夠啟動，但啟動后又馬上停機，設(shè)備處于不斷重復(fù)啟動狀態(tài)。故障分析及處理：這種故障是屬于掃頻式啟動方式的設(shè)備故障，其原因是：

①、逆變引前角過小，啟動后由于換相失敗而引起的重復(fù)啟動 ——用示波器通過觀察中頻電壓波形，將逆變引前角適當(dāng)調(diào)大。

②、負(fù)載振蕩頻率信號在它激掃描頻率信號范圍的邊緣位置——重新調(diào)整它激掃描頻率的掃描范圍。

5. 設(shè)備啟動后，當(dāng)功率升到一定值時設(shè)備過流保護(hù)動作，有時會燒壞可控硅元件，重新啟動，現(xiàn)象依然如故。 故障分析及處理：這種故障現(xiàn)象一般是由于以下兩種原因造成：

①、逆變可控硅水冷套內(nèi)斷水或散熱效果下降——更換水冷套。有時觀察水冷套的出水量和壓力是足夠的，但經(jīng)常由于水質(zhì)問題，在水冷套的壁上附著一層水垢，由于水垢是一種導(dǎo)熱性級差的物體，雖然有足夠的水流量流過，但因為水垢的隔離是其散熱效果大大降低。其判斷方法是：將功率運行在較低于該過流值的功率下約十分鐘，迅速停機，停機后迅速用手觸摸可控硅元件的芯部，若感覺到燙手，則該故障是由此原因引起的。

②、槽路連接導(dǎo)線有接觸不良和斷線情況——檢查槽路連接導(dǎo)線，根據(jù)實際情況酌情處理。當(dāng)槽路連接導(dǎo)線有接觸不良或斷線情況時，功率升到一定值后會產(chǎn)生打火現(xiàn)象，影響了設(shè)備的正常工作，從而導(dǎo)致設(shè)備保護(hù)動作。有時因打火時會在可控硅兩端產(chǎn)生瞬時過電壓，如果過壓保護(hù)動作來不及，會燒壞可控硅元件。該現(xiàn)象經(jīng)常會出現(xiàn)過電壓、過電流同時動作。

6. 設(shè)備啟動時無任何反應(yīng)，經(jīng)觀察，控制線路板上的缺相指示燈亮。故障分析及處理：這種故障現(xiàn)象較為明顯，是由以下原因引起的：

①、快速熔斷器燒斷——一般快速熔斷器都有熔斷指示，可通過觀察其指示來判斷熔斷是否燒斷，但有時因快速熔斷器使用時間過久或質(zhì)量原因，不指示或指示不明確，須斷電后用萬用表測量。處理方法是：更換快速熔斷器，分析燒斷原因。一般燒斷快速熔斷器的原因有兩種：

設(shè)備在長時間大功率、大電流的條件下運行造成快速熔斷器發(fā)熱，使熔芯熱熔。 整流控制電路故障造成瞬時大電流沖擊波擊。應(yīng)對整流電路進(jìn)行檢查。

整流負(fù)載或中頻負(fù)載短路，造成瞬時大電流沖擊，燒壞快速熔斷器，檢查其負(fù)載回路。

②、主令開關(guān)的觸頭燒壞或前級供電系統(tǒng)有缺相故障——用萬用表的交流電壓檔測量每一級的線電壓，判斷故障位置。

7. 設(shè)備運行時直流電流以達(dá)到額定值，但直流電壓和中頻電壓低，用示波器觀察其中頻電壓波形，波形正常且逆變引前角也正常。故障分析及處理：該故障現(xiàn)象不屬于中頻電源故障，而是由于負(fù)載的阻抗過低引起的，須對負(fù)載阻抗重新調(diào)整。

①、在升壓負(fù)載的電路中，由于串連補償電容器的損壞將其拆除，沒有更換，或者一味的最求高功率而無節(jié)制的增加補償電容器，使負(fù)載的補償量過補償，都會造成此故障現(xiàn)象。解決方法是重新調(diào)整補償電容器的補償量，使設(shè)備能在額定功率下運行。 ②、感應(yīng)器有匝間短路現(xiàn)象——如果感應(yīng)器有匝間短路現(xiàn)象，其負(fù)載的阻抗也會隨之降低，造成此故障現(xiàn)象。匝間短路有兩種可能：

感應(yīng)器的銅管直接短路。

感應(yīng)器的固定膠木柱嚴(yán)重炭化，由于炭具有導(dǎo)電特性，故造成感應(yīng)器匝間由炭化的膠木使其匝間直接連接造成感應(yīng)器匝間短路。解決方法是排除匝間短路現(xiàn)象。

8. 設(shè)備運行時直流電壓、中頻電壓均以達(dá)到額定值，但直流電流小，功率低。

故障分析及處理：該故障是由于負(fù)載阻抗高引起的。 ①、負(fù)載補償電容器的補償量不足——增加補償電容器。

②、槽路（負(fù)載LC振蕩回路）連接導(dǎo)線的節(jié)點接觸電阻過大——由于設(shè)備長時間的使用，其槽路銅排的連接處受灰塵的影響，使其接觸電阻增大，造成負(fù)載的阻抗增高，出現(xiàn)此故障現(xiàn)象。

9. 設(shè)備運行正常，直流電流指示偏高，如果將電流廟宇在額定值，則電壓太低，且功率表的指示值與直流電壓直流電流和乘積不符，而以前是相符的。

故障分析及處理：這種故障現(xiàn)象有些類似于“（7）”的故障現(xiàn)象，但有所區(qū)別。故障的原因是因為直流電流表的指示不準(zhǔn)確，而給人造成一種錯覺，誤以為電流大。

這種故障的原因較為隱蔽，一時很難發(fā)現(xiàn)。如果仔細(xì)分析，便可發(fā)現(xiàn)，功率的指示值與電壓、電流的乘積不符，說明儀表的顯示值可能有誤。電壓值可采用萬用表的直流電壓檔去進(jìn)行校對，電流值我們可通過用鉗形電流表測量進(jìn)線電流，然后乘以0.816的辦法來校對。如果不符，則說明電流表指示不準(zhǔn)確。

直流電流表的值是取自分流器上產(chǎn)生的75mV電壓信號，在使用時間較長、使用環(huán)境較惡劣的條件下，分流器上的接線與分流器之間存在污垢或氧化現(xiàn)象，接觸電阻增大，使分流器上產(chǎn)生的電壓增高，大于75mV，致使直流電流表的指示偏大。 處理方法是：處理分流器與其接線間的污垢和氧化層。

10. 頻繁燒壞可控硅元件，更換新可控硅后,馬上燒壞。故障分析及處理：這是一種讓人比較頭疼，維修比較困難的故障現(xiàn)象?？煽毓璧膬r格比較昂貴，而燒壞可控硅卻讓人防不勝防，所以在維修這類故障時要格外小心謹(jǐn)慎。我們在分析故障“2.5“時，介紹了一種燒壞可控硅的原因。除此之外，還有以下原因：

①、可控硅在反相關(guān)斷時，承受反向電壓的瞬時毛刺電壓過高——在中頻電源的主電路中，瞬時反相毛刺電壓是靠阻容吸收來吸收的。如果吸收電路中電阻、電容開路均會使瞬時反相毛刺電壓過高燒壞可控硅。在斷電的情況下用萬秀表測量吸收電阻阻值、吸收電容容量，判斷是否阻容吸收回路出現(xiàn)故障。

②、負(fù)載對地絕緣降低——負(fù)載回路的絕緣降低，引起負(fù)載對地間打火，干擾了脈沖的觸發(fā)時間或在可控硅兩端形成高壓，燒壞可控硅元件。

③、脈沖觸發(fā)回路故障——在設(shè)備運行時如果突然丟失觸發(fā)脈沖，將造成逆變開路，中頻電源輸出端產(chǎn)生高壓，燒壞可控硅元件。這種故障一般是逆變脈沖形成、輸出電路故障，可用示波器進(jìn)行檢查，也可能是逆變脈沖引線接觸不良，可用手搖晃導(dǎo)線接頭，找出故障位置。

④、設(shè)備在運行時負(fù)載開路——當(dāng)設(shè)備正在大功率運行時，如果突然負(fù)載處于開路狀態(tài)，將在輸出端形成高壓燒壞可控硅元件。 ⑤、設(shè)備在運行時負(fù)載短路——當(dāng)設(shè)備在大功率運行時，如果負(fù)載突然處于短路狀態(tài)，將對可控硅有一個很大的短路電流沖擊，若過電流保護(hù)動作不不及保護(hù)，將燒壞可控硅元件。

⑥、保護(hù)系統(tǒng)故障（保護(hù)失靈）——可控硅能否安全，主要是告保護(hù)系統(tǒng)來保證的，如果保護(hù)系統(tǒng)出現(xiàn)故障，設(shè)備稍有一點工作不正常，將危機到可控硅安全。所以，當(dāng)可控硅燒壞時對保護(hù)系統(tǒng)的檢查是必不可少的。

⑦、可控硅冷卻系統(tǒng)故障——可控硅在工作時發(fā)熱量很大，需要對其冷卻才能保證正常工作，一般可控硅的冷卻有兩種方式：一種是水冷，另一種是風(fēng)冷。水冷的應(yīng)用較為廣泛，風(fēng)冷一般只用于100KW以下的電源設(shè)備。通常采用水冷方式的中頻設(shè)備均設(shè)有水壓保護(hù)電路，但基本上都是總進(jìn)水的保護(hù)，若某一路出現(xiàn)水堵，是無法保護(hù)的。

⑧、電抗器故障——電抗器內(nèi)部打火造成逆變側(cè)的電流斷續(xù)，也會在逆變輸入側(cè)產(chǎn)生高壓燒壞可控硅。另外，如果在維修中更換了電抗器，而電抗器的電感量、鐵芯面積小于要求值，會使電抗器在大電流工作時，因飽和失去限流作用燒壞可控硅。